Guía de selección de detectores de rayos X

Amptek proporciona una familia de detectores de rayos X compactos de alto rendimiento y electrónica de procesamiento de señales asociada. Los detectores de radiación son fotodiodos personalizados, incluidos los diodos Si-PIN tradicionales, los detectores de deriva de silicio (SDD) y los diodos CdTe Schottky. El detector está montado en un enfriador termoeléctrico de dos etapas junto con el transistor de entrada del preamplificador. El enfriador mantiene el detector y el transistor a -25 o C o menos, reduciendo el ruido electrónico sin nitrógeno líquido criogénico y consumiendo <1W. Este enfriamiento permite un alto rendimiento en un paquete compacto y conveniente, y ha sido fundamental para el desarrollo de analizadores XRF portátiles y de sistemas EDS y XRF de sobremesa de alto rendimiento.

 

 

Los detectores de Amptek representan lo último en espectroscopia de rayos X, brindando la mejor resolución de energía, la mejor eficiencia a bajas energías, las tasas de conteo más altas, las relaciones pico a fondo más altas, todo a bajo costo y adecuado para sistemas portátiles, vacío sistemas, etc. Son utilizados por OEM y por investigadores de laboratorio. Las principales tecnologías habilitadoras incluyen los propios detectores (diseñados y fabricados por Amptek), la tecnología CMOS y JFET de bajo ruido, y el empaque que permite una buena refrigeración en un sistema robusto. Amptek tiene varios detectores básicos diferentes en esta familia, compartiendo la tecnología central pero optimizados para diferentes aplicaciones.

 

 

El esquema anterior ilustra un detector montado en un enfriador termoeléctrico, en un cabezal TO-8. El FET de entrada y otros componentes también están montados en el enfriador. Una cubierta de níquel (también mostrada) está soldada al cabezal TO-8 con vacío dentro del gabinete para un enfriamiento óptimo. En la cubierta hay una ventana (que se muestra en azul oscuro arriba) para permitir la detección de rayos X suaves. Suele ser berilio para energías > 2 keV, con Si 3 N 4 disponible para energías más bajas. Los detectores utilizan preamplificadores de estilo reinicio.